参数 | 性能指标 |
核心数量 | 1 |
核心频率 | 典型工作频率:800MHz |
峰值运算速度 |
浮点:每秒32亿次双精度浮点结果@800MHz
整数:每秒24亿次整数结果@800MHz |
工艺特征 | 40nm |
电压参数 |
内核电源:1.1V ± 5%
I/O电源:1.5V ± 10% ~ 2.5V±10% |
Cache容量 |
核心包含两级Cache,Cache行长度为128字节;
一级:指令与数据分离,容量为32KB,采用4路组相联结构 二级:指令与数据混合,容量为512KB,采用8路组相联结构 |
储存空间 | 支持64位虚地址,实际实现43位虚地址,支持40位物理地址。 |