| 参数 | 性能指标 |
| 核心数量 | 16 |
| 核心频率 | 设计频率2.0GHz。 |
| 峰值运算速度 |
浮点： 每秒5120亿次双精度浮点结果@2.0GHz；
整数： 每秒2880亿次整数结果@2.0GHz。 |
| 工艺特征 | 28nm |
| 电压参数 |
内核电源： 0.95V±5%；
I/O电源： 1.5V±10%， 1.8V±10%。 |
| Cache容量 |
每个核心包含两级Cache， Cache行长度为128字节；
一级Cache： 指令与数据分离， 容量为32KB， 采用4路组相联结构； 二级Cache： 指令与数据混合， 容量为512KB， 采用8路组相联结构； 16个核心共享三级Cache， 容量为32MB， Cache行长度为128字节， 采用32路组相联结构。 |
| 存储空间 |
支持64位虚地址空间， 实际实现43位虚地址；
支持40位物理地址。 |
| 存储器接口 |
八路64位DDR3存储器接口， 支持纠单错、 检双错的ECC校验， 最大传输率为
2133MBps；
支持的总存储器容量最大可达256GB； 支持连接DDR3 SDRAM芯片、 UDIMM或RDIMM存储器条。 |
| I/O接口 |
两路PCI-E 3.0 ×8接口， 单链路有效带宽8Gbps；
维护接口支持兼容Jtag标准的芯片调试与维护。 |
| 封装特性 | 采用FC-BGA封装， 封装引脚数为2597。 |
| 功耗 |
热设计功耗： 90W（16核心）；
典型运行功耗： 待实际测量。 |
