参数 | 性能指标 |
核心数量 | 16 |
核心频率 | 设计频率2.0GHz。 |
峰值运算速度 |
浮点: 每秒5120亿次双精度浮点结果@2.0GHz;
整数: 每秒2880亿次整数结果@2.0GHz。 |
工艺特征 | 28nm |
电压参数 |
内核电源: 0.95V±5%;
I/O电源: 1.5V±10%, 1.8V±10%。 |
Cache容量 |
每个核心包含两级Cache, Cache行长度为128字节;
一级Cache: 指令与数据分离, 容量为32KB, 采用4路组相联结构; 二级Cache: 指令与数据混合, 容量为512KB, 采用8路组相联结构; 16个核心共享三级Cache, 容量为32MB, Cache行长度为128字节, 采用32路组相联结构。 |
存储空间 |
支持64位虚地址空间, 实际实现43位虚地址;
支持40位物理地址。 |
存储器接口 |
八路64位DDR3存储器接口, 支持纠单错、 检双错的ECC校验, 最大传输率为
2133MBps;
支持的总存储器容量最大可达256GB; 支持连接DDR3 SDRAM芯片、 UDIMM或RDIMM存储器条。 |
I/O接口 |
两路PCI-E 3.0 ×8接口, 单链路有效带宽8Gbps;
维护接口支持兼容Jtag标准的芯片调试与维护。 |
封装特性 | 采用FC-BGA封装, 封装引脚数为2597。 |
功耗 |
热设计功耗: 90W(16核心);
典型运行功耗: 待实际测量。 |