参数 | 性能指标 |
核心数量 | 2个通用64位核心 |
核心频率 | 设计频率2.0GHz。 |
峰值运算速度 |
浮点:每秒640亿次双精度浮点结果@2.0GHz;
整数:每秒360亿次整数结果2.0GHz。 |
工艺特征 | 28nm |
电压参数 |
内核电源:0.95V±5%;
I/O电源:1.5V±10%,1.8V±10%。 |
Cache容量 |
每个核心包含两级Cache,Cache行长度为128字节;
一级Cache:指令与数据分离,容量分别为32KB,均采用4路组相联结构; 二级Cache:二级Cache:指令与数据混合,容量为512KB,采用8路组相联结构; 2个核心共享三级Cache,容量为8MB,采用32路组相联结构。 |
存储空间 |
支持64位虚地址空间,实际实现43位虚地址;
支持40位物理地址。 |
存储器接口 |
单路64位DDR3存储器接口,支持纠单错、检双错的ECC校验,最大传输率为1866MBps;
支持的存储器容量为2、4、8、16GB或32GB; 支持连接×8和×16位结构的DDR3 SDRAM芯片,也支持连接单Rank、双Rank或四Rank的DDR3 UDIMM 或RDIMM存储器条。 |
I/O接口 |
单路PCI-E 3.0 ×8接口,单链路有效带宽8Gbps;
维护接口支持兼容JTAG标准的芯片调试与维护; |
封装特性 |
采用FC-BGA封装,引脚数为528;
封装尺寸为:27mm×27mm。 |
功耗 |
热设计功耗:20W@2.0GHz;18W@1.8GHz;
典型运行功耗:15W@2.0GHz;13W@1.8GHz。 |